RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
45
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
37
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
3100
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link