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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
45
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
37
读取速度,GB/s
11.9
18.5
写入速度,GB/s
8.1
12.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3100
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
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