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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
45
Autour de -36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
3035
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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