RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
45
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
33
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
3035
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link