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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
45
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
40
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
2340
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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