RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
45
Autour de -67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2577
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link