RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
45
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2577
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link