RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3147
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link