Comparação RAM Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Pontuação geral

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

11.8 11.7

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 19200

Por volta de 1.11% maior largura de banda

Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

23 27

Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16.8 16.7

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2756 3147

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns