RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
46
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
39
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2072
2221
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link