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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
46
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2072
4001
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
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