RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de 8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3295
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link