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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
26
周辺 8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
15.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13% 高帯域
考慮すべき理由
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
15.5
12.5
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
26
読み出し速度、GB/s
16.0
15.2
書き込み速度、GB/秒
12.5
15.5
メモリ帯域幅、mbps
19200
17000
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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