RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
46
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2072
2436
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link