RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2072
2436
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link