RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
47
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
2566
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link