RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
47
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2566
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link