RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
47
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
36
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3166
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link