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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
差异
规格
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
47
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
36
读取速度,GB/s
11.8
16.2
写入速度,GB/s
8.0
14.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3166
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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