RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
47
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
1967
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link