RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
47
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
2261
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link