RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
30
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
3148
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link