RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
69
Autour de 32% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
69
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
1598
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link