RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
47
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3437
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link