RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3437
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link