RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
47
Autour de -62% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3302
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link