RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3302
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link