RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
52
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
52
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
2472
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link