RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сравнить
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB против Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
52
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
52
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
20.5
Скорость записи, Гб/сек
9.1
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2099
2472
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link