RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
47
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
37
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
2765
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link