RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
52
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.8
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17500
12800
Autour de 1.37 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
52
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17500
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
2319
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link