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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
52
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.8
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17500
12800
En 1.37 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
52
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17500
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2319
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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