RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
47
Autour de -62% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3113
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link