RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
バグを報告する
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB 考慮すべき理由
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 47
    周辺 -62% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 12.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2061 left arrow 3113

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAMの比較

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
メモリRAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
メモリRAM