RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
45
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3187
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link