RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
45
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3304
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link