RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
45
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3559
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link