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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
45
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3559
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
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