RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
45
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2277
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link