RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
45
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2277
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link