RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
87
Wokół strony -211% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3601
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link