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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

総合得点
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 18.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    870.4 left arrow 15.7
    テスト平均値
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 87
    周辺 -211% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    87 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    3,155.6 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    870.4 left arrow 15.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    417 left arrow 3601

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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Kingston 9905678-006.A00G 4GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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