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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB

総合得点
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

総合得点
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takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    870.4 left arrow 1,500.2
    テスト平均値
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB 考慮すべき理由
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    47 left arrow 87
    周辺 -85% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    87 left arrow 47
  • 読み出し速度、GB/s
    3,155.6 left arrow 4,705.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    870.4 left arrow 1,500.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    417 left arrow 460

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