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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
45
Autour de -7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
42
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2476
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
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