RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
45
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
2476
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link