RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
45
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3100
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link