RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3100
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link