RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
45
Autour de -80% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2910
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link