RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
45
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2910
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link