RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
45
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
40
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2254
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link